东芝存储器株式会社开发出搭载QLC技术的96层BiCS FLASH™

2018年7月20日

Prototype sample image of 96-layer BiCS FLASH™, its proprietary 3D flash memory, with 4-bit-per-cell (quad level cell, QLC) technology.

东京—存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,公司已成功开发出其享有专利的3D闪存——96层BiCS FLASH™的原型样品,该产品采用四位元(四阶存储单元,QLC)技术,可将单芯片存储器的存储容量提升至高水平。

自9月初起,东芝存储器株式会社将开始向SSD和SSD控制器制造商交付样品供其进行评价,预计批量生产将于2019年启动。

 

QLC技术的优点在于实现每存储单元数据位数从3位元到4位元的提升,实现了存储容量的显著提高。该新产品在与西部数据公司联合开发的单芯片中实现了1.33Tbit的业界最大存储容量[1]

 

此外,该产品还在采用单一封装的16芯片堆叠式结构中实现了无与伦比的2.66TB存储容量。随着社交网站的普及和物联网的发展,移动终端等设备产生的海量数据不断增加,实时分析和利用数据的需求预计将大幅增加。因此,需要速度快于HDD且存储容量更大的存储器,而使用96层工艺技术的QLC产品即是一种解决方案。

 

该新器件封装成型的原型机将在8月6-9日于美国加州圣克拉拉举行的2018年闪存峰会上亮相。

 

未来,东芝存储器株式会社将继续提高存储器的存储容量和性能,并开发满足各种市场需求的3D闪存,包括快速扩张的数据中心存储器市场。

 

注:
1.资料来源:东芝存储器株式会社,截至2018年7月20日。